AMD e IBM, litografia d'immersione e dielettrico a bassissim

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<p>Roma, 12 dic. (Ign) - In occasione del International Electron Device Meeting (IEDM), IBM e AMD hanno presentato la documentazione che descrive l’utilizzo del processo di litografia d’immersione, di un dielettrico a bassissima capaticà (ultra-low-K) e di transistor ad alta efficienza di communtazione per i futuri microprocessori con processo produttivo a 45 nm. AMD ed IBM prevedeno di introdurre i primi prodotti a 45 nm che sfruttano tali tecnologie a metà del 2008. Il processo di litografia d’immersione consiste nell’utilizzo di un liquido trasparente che aumenta il fuoco delle lenti su processi a 45nm. L’utilizzo di un dielettrico a bassissima capacità permette il raggiungimento di maggiori prestazioni in quanto riduce l’accopiamento dei segnali. I transistor ad alta efficienza di commutazione permettono la realizzazione di CPU con bassi consumi energetici. </p>
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