Samsung: inizia produzione su larga scala delle DRAM da 512 megabyte
Inizia la produzione su larga scala delle memorie DRAM da 512 megabyte di Samsung. Queste memorie, che utilizzano circuiti a 90 nanometri, saranno utilizzate nei cellulari e dispositivi mobile di prossima generazione che necessitano di performance elevate per la gestione della grafica, potendo raggiungere una velocità di trasmissione dati fino a 1,3 GB al secondo.
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